Le memorie NAND possono essere suddivise in due categorie SLC e MLC.
SLC e' l'abbreviazione di 'Single-Level Cell':
Le memorie SLC memorizzano un bit in ogni cella, permettendo un' elevata velocita' di trasferimento dati, piu' basso consumo di energia e una piu' alta resistenza della cella. L'unico svantaggio delle
Single-Level Cell e' il costo fabbricazione per MB. La tecnologia SLC e' utilizzata nelle memorie di fascia più elevata
MLC e' l'abbreviazione di 'Multi-level Cell':
Le memorie MLC memorizzano tre o piu' bit in ogni cella. Memorizzando piu' bit per cella si ha una piu' bassa velocita' di trasferimento dati, un piu' altro consumo di energia e una piu' bassa resistenza delle celle rispetto ad una Single-Level Cell. Il vantaggio è un piu' basso costo di produzione. La tecnologia MLC flash e' lo standard piu' diffuso.
Multi-Bit Cell: MBC è una tecnologia simile alla Multi-Level Cell ma memorizza solo due bit per cella.
